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靜電放電造成微電子電路損傷的模式


 

金屬布線與擴散區(qū)(或多晶)接觸孔產(chǎn)生火花,使金屬和硅的歐姆接觸被破壞。
使節(jié)點的溫度超過半導體硅的熔點(1415℃)時,使硅熔解,產(chǎn)生再結晶,造成器件短路。
金屬化電極和布線熔解、“球化”,造成電路開路。
大電流流過PN結產(chǎn)生焦耳熱,使結溫升高,形成“熱斑”或“熱奔”,導致器件損壞
靜電放電引發(fā)的瞬時大電流(靜電火花)引燃引爆易燃、易爆氣體混合物或電火工品,造成意外燃燒、爆炸事故。
靜電放電使人體遭受電擊引發(fā)操作失誤造成二次事故、靜電場的庫侖力作用使紡織、印刷、塑料包裝等自動化生產(chǎn)線受阻。第三類靜電危害是由于靜電放電的電磁輻射或靜電放電電磁脈沖(ESD EMP)對電子設備造成的電磁干擾引發(fā)的各種事故。
一般說來,靜電放電都是在微秒或鈉秒量級完成的,因此這一過程是一種絕熱過程,放電瞬間通過回路的大電流,形成局部的高溫熱源。對微電子器件而言,其靜電放電能量通過器件集中釋放,其平均功率可達幾千瓦,熱量很難從功率耗散面向外擴散,因而在器件內形成大的溫度梯度,造成局部熱損傷,電路性能變壞或失效。


 

發(fā)布時間:2013-03-01 09:32:25
 
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